
隨著集成電路向高性能、小型化和高集成度發展,三維封裝技術已成為半導體行業的主流趨勢。3D封裝通過將多個芯片垂直疊層,并利用垂直互連(如TSV,硅通孔)實現高密度…
隨著集成電路向高性能、小型化和高集成度發展,三維封裝技術已成為半導體行業的主流趨勢。3D封裝通過將多個芯片垂直疊層,并利用垂直互連(如TSV,硅通孔)實現高密度…
隨著集成電路向高密度、小型化和高性能發展,三維封裝(3D packaging)技術已成為半導體封裝領域的重要方向。相比傳統二維封裝,3D封裝通過垂直堆疊芯片及其…
鉬銅合金是一種兼具高導熱性和低熱膨脹系數的金屬復合材料,廣泛應用于電子封裝、熱沉材料以及高溫結構件等領域。然而,由于鉬和銅之間存在較大的物理和化學差異,使得該類…
隨著電子器件向小型化、高集成、高功率密度方向發展,鉬銅合金的熱管理能力面臨更高的技術要求。如何進一步優化其熱導率、熱擴散能力和熱應力控制性能,成為當前材料研究與…
鉬銅合金(MoCu)作為高性能電子封裝材料,其表面處理技術對提升封裝可靠性和使用壽命起著決定性作用。隨著封裝工藝向高密度、小型化、極端環境適應方向發展,此合金的…
在實際應用中,鉬銅封裝的氣密性和長期可靠性仍面臨諸多挑戰,尤其是在極端環境(如真空、高溫、濕熱)下。因此,探索鉬銅合金封裝的氣密性與可靠性優化策略具有重要的工程…
鉬銅合金(Mo-Cu alloy)被廣泛應用于高功率半導體器件的封裝熱沉、基板和散熱器等關鍵部件中。然而,由于該合金的表面化學性質復雜、表面活性較低,直接用于封…
隨著半導體器件向高功率、高頻率和高集成度方向快速發展,芯片在運行過程中所產生的熱量日益增加,對封裝材料的熱管理性能提出了更高要求。在眾多封裝材料中,鉬銅合金(M…