近日，一項研究成果表明，層狀二碲化鎢制2D金屬芯片可以讓數據儲存速度提高100倍。
一個僅為三個原子厚的二維（2D）金屬芯片能做到什么？——更節能地存儲數據！還可以提高存儲速度100倍！然后，這是不是意味著，下一代數據存儲材料就“可望而可及”了！？
估計沒那么快。
當然了，有的小伙伴可能就要問了，這2D金屬芯片到底是什么做的，這么神奇？
這2D金屬芯片是研究人員利用層狀二碲化鎢制成的。據悉，這是一個美國聯合研究團隊的一項新的研究成果，于近日刊載于英國《自然·物理學》雜志上。
二碲化鎢是什么？
二碲化鎢，WTe2，是一種過渡金屬二碲化物。它也是一種與石墨烯具有相似特性的二維層狀材料（所以有時候也稱之為層狀二碲化鎢），同二碲化鉬(MoTe2)等過渡金屬二碲化物一樣，因具有獨特和非凡的電氣和光學特性等優良特性而引起了廣泛關注。這些過渡金屬二碲化物對量子技術、晶體管和相變存儲器等多種技術的發展顯示出了巨大的希望。
這項研究的新成果是否會引發一場數據存儲革命呢？
應該會，但不是現在。這還要看這項技術是不是最先成熟，又或者說，最先投入市場應用。
數據在這個時代呈現爆炸式的增長。數據的存儲方式必然得跟上數據的增長趨勢，而這必然引發一場場的變革。實際上，數據存儲方式，從我們最初記憶中的磁帶、CD，到如今存儲容量早經過指數級增長的半導體芯片，從總體來看，是變強大了，但眼下尤不足。所以，科學家正在研究數據的其他保存形式，包括存儲在激光蝕刻的載玻片、冰冷分子、單個氫原子、全息膠片甚至DNA上。
這些其他的保存形式暫且不論，我們先來了解一下上面提及的由美國斯坦福大學、加州大學伯克利分校和德克薩斯A＆M大學的研究人員共同攻克難題得出來的研究新成果——一種由二碲化鎢金屬組成的新系統，這些二碲化鎢排列成一堆超薄層，每層僅有3個原子厚。層狀二碲化鎢制2D金屬芯片可代替硅芯片存儲數據，且比硅芯片更密集、更小、更快，也更節能。
研究人員是如何通過二碲化鎢薄層讀取數據的？
據悉，研究人員對二碲化鎢薄層結構施加微小電流，使其奇數層相對于偶數層發生穩定的偏移，并利用奇偶層的排列來存儲二進制數據。數據寫入后，再通過一種稱為貝利曲率的量子特性，在不干擾排列的情況下讀取數據。
這種新數據存儲系統與現有的基于硅的數據存儲系統相比所具有的巨大優勢在于：它可以將更多的數據填充到極小的物理空間中，并且非常節能，數據寫入速度也可以比現有技術快100倍。此外，對WTe2超薄層進行非常小的調整，就會對它的功能特性產生很大的影響，而利用這一知識來設計新型節能設備，有望實現可持續發展和更智慧的未來存儲方式。當然了，科研探索，永無止境，該團隊的研究人員還在研究下一步改進的方法，例如，尋找除WTe2之外的其他2D材料，目的仍是提高數據儲存速度。
