三氧化鎢薄膜用WO3具有比NiO2、MoO3等過渡金屬氧化物更優異的電致變色性能，所以，人們給予了WO3及其電致變色薄膜最大的關注。需要注意的是，氧化鎢的性能強烈地依賴于實驗制備的方法和條件。
更多內容請訪問：
http://www.tungsten-powder.com/chinese/tungsten_oxide.html
據專家介紹，WO3還是一種寬帶隙半導體，光學帶隙在3.00eV左右。那么，什么是寬帶隙半導體？通常情況下，寬帶隙半導體指的是一類在室溫下帶隙大于2.0eV的半導體材料。寬帶隙半導體在藍、紫光和紫外光電子器件，高頻、高溫、高功率電子器件及場發射器件方面應用廣泛。
