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全固體エレクトロクロミック素子への三酸化タングステンの使用

三酸化タングステンは、全固體エレクトロクロミック素子を組み立てるための5層の薄膜構造中のEC層として機能するWO3エレクトロクロミック薄膜を作製することができる。これらのエレクトロクロミック素子は主に省エネ窓の研究や実用に用いられる。

全固體エレクトロクロミック素子への三酸化タングステンの使用

詳細については、

http://tungsten-oxide.com/japanese/index.html

全固體エレクトロクロミック素子への三酸化タングステンの使用

では、エレクトロクロミック素子の5層薄膜構造とは--TC/EC/IC/CE/TC、そのうちTCは透明導電層である透明電極、ECはエレクトロクロミック層、lCはイオン導電層、CEはイオンメモリ層である。CE層は電極上へのイオンの堆積を防ぐことができる。CE層がイオン貯蔵と著色/漂白の二重機能を有する場合、得られるデバイスは相補エレクトロクロミックデバイスと呼ばれ、このときEC層とCE層は同時に著色し、同時に漂白する。相補的エレクトロクロミック素子はスペクトルの変調幅を広げ、変調深さを高めた。

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