MoO3をドープした酸化タングステンを用いてエレクトロクロミック薄膜を作製することができる。このようなスマート薄膜は、直流マグネトロンスパッタリング法、スプレー法、および直流マグネトロンスパッタリングとスプレー法の組み合わせにより製造することができる。その中で、一部の専門家はこの3つの方法によってWO3エレクトロクロミック薄膜を製造することを研究し、発見：
詳細(xì)については、
http://www.tungsten-powder.com/japanese/tungsten-oxide.html
1.0で得られた酸化タングステン?酸化モリブデン複合エレクトロクロミック薄膜は直流マグネトロンスパッタリングにより製造することができる。酸素アルゴン比が3：70の場(chǎng)合、エレクトロクロミック素子の光変調(diào)範(fàn)囲は49.52%と最大値に達(dá)する。
2.0スプレー法を用いて製造したモリブデン添加三酸化タングステンエレクトロクロミック薄膜はエレクトロクロミック能力が低く、コストが低く、プロセスが簡(jiǎn)単である。
3.0マグネトロンスパッタリングとスパッタリングを組み合わせて製造された複合エレクトロクロミック薄膜は、スパッタリング法で製造された薄膜よりも優(yōu)れたエレクトロクロミック性能を有する。ここで、マグネトロンスパッタリング4分後に塗布されたエレクトロクロミック薄膜で組み立てられたデバイスは、32.38%に達(dá)する最大の光変調(diào)範(fàn)囲を有する。マグネトロンスパッタリングを4分間行うと、得られる膜厚は陽(yáng)イオンの注入と抽出に有利である。
