鉬銅合金憑藉其高導熱性、低熱膨脹係數和優異的高溫穩定性，在高功率電子器件散熱領域具有廣泛應用前景。通過優化Mo-Cu比例、提高材料緻密度、採用梯度結構、優化介面…

航太電子設備需要在極端環境下運行，如高溫、劇烈溫度變化、高真空、強輻射和振動衝擊等。因此，對電子封裝材料提出了極高的要求，包括高導熱性、低熱膨脹係數（CTE）、…

高功率雷射器在工業加工、醫療設備、軍事應用和光通信等領域具有廣泛的應用。然而，這類雷射器在運行過程中會產生大量的熱量，若散熱不及時，可能導致雷射器性能下降、光束…

隨著5G通信技術的快速發展，基站數量和功率密度大幅增加，特別是在高頻毫米波段，射頻（RF）模組的功率損耗顯著提升。由於射頻功放晶片在工作過程中會產生大量熱量，如…

金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）因其高速開關、低導通電阻和高效能量轉換的特點，在電力電子、通信設備、汽車電子以及工業控制等領域得到了廣泛應用。然而，…

絕緣柵雙極型電晶體（IGBT）是一種廣泛應用於電力電子系統中的半導體器件，因其高效率、快速開關特性和高耐壓能力，在工業自動化、新能源汽車、軌道交通以及智慧電網等…