氧化鎢納米材料

針對于一維納米材料現實的應用要求，人們在研究和應用時選擇了很多種材料體系，尤其是一些具有半導體性質的材料。因為隨著信息技術和電子技術的發展，我們對半導體的應用已經不僅僅局限于硅、鍺等傳統的單元素體系，一些化合物半導體尤其是過渡金屬氧化物半導體由于其一系列特殊的性質如禁帶寬度大、易摻雜、光電性能優異等而受到廣泛的關注和研究。同時從納米材料方面來講，納米級別的金屬氧化物半導體的尺寸效應、量子效應等性質要比納米級別的單元素半導體更加明顯。而且隨著研究的深入，納米材料的制備技術更加多樣化，我們發現對于這些材料，更容易得到大面積、均勻性好結晶度高的一維納米結構的材料，針對不同的用途，對于這些材料的摻雜、修飾等改性的方法更加豐富多樣和容易。

在這些材料體系中，氧化鎢（WO3-x，0<x<1）是一種極其重要的寬禁帶半導體材料，主要包含四種常見價態的氧化物（即WO3、W20O58、W18O49和WO2），隨著x值的增大表明晶格中的氧空位越多，正是這種氧空位的存在使得氧化鎢的應用十分廣泛，而且氧化鎢也是少數容易獲得量子尺寸效應的金屬氧化物半導體之一，具有良好的電致變色、光吸收、催化等性質，已經被廣泛用于燃料電池、化學傳感器、氣敏傳感材料、光電子器件、光電化學催化等諸多領域。