三氧化鎢為OLED帶來變化

由研究數據可得：采用磁控濺射方法制備的三氧化鎢緩沖層研制的OLED器件，在工作電壓20V時,IWO-OLED的亮度為8791cd/m2,IWO/WO3-OLED亮度為16690cd/m2。當電壓加至19V時,IWO/WO3-OLED器件的功率效率達到最大值1.581m/W；與此對照,當電壓加至20V,IWO-OLED器件的功率效率達到最大值0.76lm/W,數值是前者的1/2。對于IWO-OLED器件,當電流密度增大的時候,發光效率逐漸上升,當電流密度達到181.9mA/cm2的時候,發光效率達到最大值為4.83cd/A;對于IWO/WO3-OLED器件,當電流密度達到128.5mA/cm2時(對應的工作電壓為19V),發光效率達到最大值9.56cd/A,其數值約為前者的兩倍�？傊�,IWO/WO3-OLED無論在亮度,發光效率以及功率效率上都有顯著的改善。

采用脈沖等離子體沉積方法(Pulsed Plasma Deposition, PPD)方法制備的三氧化鎢緩沖層在器件OLED的效果：在工作電壓20V時,IWO-OLED的亮度為8791cd/m2, IWO/WO3-OLED亮度為17360cd/m2,其亮度約為無三氧化鎢緩沖層器件的兩倍。