可擴展的CVD工藝制作的2-D二硒化鉬

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　  在水稻研究中， Ajayan和他的同事通過建立一個場效應晶體管（FET ） ，在微電子工業常用的設備測試他們的原子薄層鉬硒醚的。 FET的測試中發現的二硒化鉬層的電子特性均較二硫化鉬的顯著更好;后者是已被更廣泛地研究，因為它是更容易制造類似的材料。例如，場效應管測試中發現，賴斯的硒化鉬的電子遷移率比CVD生長，二硫化鉬較高。 

在固態物理，電子遷移率指的是如何快速電子通過在電場的存在下，金屬或半導體。具有高電子遷移率的材料通常是優選的，以減少功率消耗和發熱的微電子器件。

“能夠使2 -D材料在受控的方式真的會讓我們自己的迷人特性的認識和使用產生影響，說：”研究的共同作者埃米莉RINGE ，化學和材料科學和納米工程學助理教授賴斯。 “一個表征材料的結構和功能，正如我們在本文中所做的，就是這種進步的關鍵。 ”

二硒化鉬和二硫化鉬每個屬于一類稱為過渡金屬二硫屬化物材料; TMDCs被如此命名是因為它們包含兩個元素，如鉬或鎢和“硫屬元素”如硫，硒或碲的過渡金屬。 

TMDCs已吸引了來自材料科學家的濃厚興趣，因為他們有相似的石墨烯，吸引了2010年諾貝爾物理學獎的純碳材料奇跡的原子結構。石墨烯和類似的材料通常被稱為兩維，因為它們是只有一個原子厚。石墨烯具有非凡的電子特性。舉例來說，其電子遷移率的數萬次高于TMDCs更大。

然而，二維TMDCs像鉬二硒化物已經引起極大的興趣，因為它們的電子特性是互補的石墨烯。例如，純石墨烯沒有帶隙 - 一個實用的電子屬性，工程師可以利用，使場效應管，很容易打開和關閉。與許多納米材料，科學家們已經發現， TMDCs的物理性質顯著變化時，該材料具有納米級的屬性。例如，二硒化鉬的板坯也就是即使是微米厚的具有“間接”的帶隙，而鉬二硒化物的一個兩維片具有“直接”帶隙。所不同的是用于電子重要的，因為直接帶隙材料可以被用于制造可切換的晶體管和靈敏的光檢測器。

“一個在材料科學和納米工程學賴斯部的驅動力是誰專注于合成和我們這些參與與表征人與人之間的發展緊密合作， ” RINGE ，誰加入了賴斯的教師在一月份說。 “我們希望這將是一系列新協議的開頭可靠地合成各種2 -D的材料。 ”克河西，所有南洋理工大學。

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