新海宜子公司新納晶LED項目獲財政補貼1500萬元
9月14日，新海宜發(fā)布公告稱，其控股子公司蘇州新納晶光電有限公司獲得政府財政補貼1500萬元。
根據(jù)江蘇省財政廳、江蘇省科技廳聯(lián)合發(fā)布的《關于下達2012年第十二批省級科技創(chuàng)新與成果轉化(重大科技成果轉化)專項引導資金的通知》，新納晶“基于納米圖形襯底的高效LED外延、芯片的研發(fā)及產業(yè)化”項目被列入2012年第十二批江蘇省科技創(chuàng)新與成果轉化(重大科技成果轉化)專項引導資金項目，獲得政府補貼1300萬元。
據(jù)悉，該項目的主要研發(fā)內容是采用光學模擬的方法，設計和優(yōu)化新型襯底納米圖形結構；開發(fā)納米圖形襯底連續(xù)壓印技術；完善和優(yōu)化藍寶石圖形襯底上的LED外延、芯片及封裝技術等。
而根據(jù)蘇州市科技局、蘇州市財政局聯(lián)合發(fā)布的《關于下達蘇州市2012年度第五批科技發(fā)展技術(技術專項)項目經費的通知》，新納晶“基于納米圖形襯底的高效LED照明芯片研發(fā)”項目被列入蘇州市2012年度第五批科技發(fā)展計劃(技術專項)項目，獲得政府補貼200萬元。
該項目主要內容為致力于NPSS襯底的結構設計、NPSS襯底連續(xù)納米壓印技術研究、GaN外延生長技術研究、高亮度高良率LED外延片生長技術研究。此項目完成后，能夠使LED芯片發(fā)光率在目前基礎上提高30%，達到170lm/W，并且可以有效降低15%的成本。
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